B. Prével, J-M. Benoit, L. Bardotti, P. Mélinon viennent de publier un article intitulé Nanostructuring Graphene on SiC by Focused Ion Beam: effect of the ion fluence dans la revue Applied Physics Letters, en collaboration avec A. Ouergui, J. Gierak, E. Bourhis, D. Lucot, du LPN Marcoussis.
Dans cet article, les auteurs mettent en évidence l’intérêt de la technique nanoFIB pour structurer à l’échelle nanométrique du graphène épitaxié sur un substrat de 6H-SiC (0001). En effet, l’irradiation à une échelle nanométrique de la surface de graphène par un faisceau focalisé d’ions Ga+ permet la formation de défauts ponctuels en réseau parfaitement organisé. Les résultats obtenus à partir des caractérisations de surface par AFM montrent une évolution de la morphologie des défauts depuis la protubérance pour les faibles doses d’ions jusqu’à la forme d’un cratère pour les plus fortes doses.

Parallèlement, la caractérisation électronique par spectrométrie Raman met en évidence une réhybridisation progressive jusqu’à l’amorphisation des nanostructures créées au fur et à mesure de l’augmentation de la dose d’ions. Les résultats obtenus confirment la forte résilience d’une monocouche de graphène à l’irradiation ionique.
Images AFM: topographie (a), (d); phase (b), (e) profils (c), (f) de défauts créés par FIB sur le graphene. gauche : dose modérée : 104 ions/pt. droite: dose forte :106 ions/pt.